■性能

型号  项目			G6D-F4B
			继电器输出
接触电阻 ＊1			100mΩ以下
动作时间 ＊2			10ms以下
复位时间 ＊2			10ms以下
绝缘电阻			1000MΩ以上（DC 500V兆欧表）
耐压		线圈和接点间	AC2,000V 50/60Hz 1min
		同极接点间	AC750V 50/60Hz 1min
耐冲击电压（线圈接点间）			4,000V（1.2×50μs）
振动	耐久		10～55～10Hz单振幅0.75mm（双振幅1.5mm）
	误动作		10～55～10Hz单振幅0.75mm（双振幅1.5mm）
抗振	耐久		500m/s2
	误动作		100m/s2
耐久性	机械		2,000万次以上 （开关频率18,000次/h）
	电力＊2		AC250V 3A（阻性负载）10万次以上 DC 30V 3A（阻性负载）10万次以上 （开关频率18,000次/h）
故障率P水准（参考值＊3）			DC5V、10mA
使用环境温度 储存温度			-25～＋55℃（不结冰、凝露）
使用环境湿度			45～85%RH
重量			约65g

注. 上述值为初始值。
＊1. 测量条件 ：DC5V 1A
＊2. 环境温度条件：+23℃
＊3. 该数值为开关频率120次/min时的数值。
■动作特性

型号  项目	G3DZ-F4B
	功率MOS FET继电器输出
动作时间	10ms以下
复位时间	15ms以下
输出ON电阻	2.4Ω以下
开路时的漏电流	10μA（DC125V兆欧表）
绝缘电阻	100MΩ以上（DC500V兆欧表）
输入输出间耐压	AC2,000V 50/60Hz 1min
振动	10～55～10Hz
单振幅	0.75mm（双振幅1.5mm）
冲击	500m/s2
使用环境温度，储存温度	-25～＋55℃（不结冰、凝露）
使用环境湿度	45～85%RH
重量	约70g